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Si7129DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
T J = 150 oC
0.04
0.03
10
0.02
1
0.1
T J = 25 oC
0.01
0.00
T J = 125 oC
T J = 25 oC
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10 12 14 16
1 8
20
2.4
2.2
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
50
40
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
2.0
30
1. 8
20
1.6
1.4
10
1.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
T J - Temperat u re (oC)
Threshold Voltage
100
Limited b y R DS(on)*
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μ s
10
1 ms
10ms
1
100 ms
1s
0.1
10 s
0.01
T A = 25 oC
Single P u lse
B V DSS Limited
DC
www.vishay.com
4
0.1
1 10 10
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is Specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 68966
S10-2023-Rev. B, 06-Sep-10
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